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鎂合金微弧氧化技術(shù)

發(fā)布日期:2023-09-22 瀏覽次數(shù):585

        目前廣泛采用的鎂合金表面改性方法主要有陽(yáng)極氧化處理、微弧氧化處理、激光表面處理、離子注入和 磷化電泳處理等。但是,經(jīng)過(guò)傳統(tǒng)的陽(yáng)極氧化處理的鎂合金表面的氧化膜較薄、耐蝕性差及嚴(yán)重環(huán)境污染等問(wèn)題,難以滿(mǎn)足防腐和環(huán)保的要求;離子注入和激光表面處理因成本和批量生產(chǎn)問(wèn)題阻礙了其發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用;磷化電泳處理工藝還不成熟、工藝過(guò)程復(fù)雜、廢水排放量大、環(huán)境污染嚴(yán)重,限制了其應(yīng)用和發(fā)展。而微弧氧化是將Mg、 Al、Ti 等有色金屬置于電解液中,利用火花放電作 用在鎂合金表面生成陶瓷膜的方法。由于微弧氧化技術(shù)生成的陽(yáng)極氧化膜與金屬基體結(jié)合力強(qiáng)、電絕緣性好、光學(xué)性能優(yōu)良、耐熱沖擊、耐磨損、耐腐蝕,表面防護(hù)效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的表面處理方法,同時(shí)該技術(shù)具有工藝簡(jiǎn)單、效率高、無(wú)污染、處理工件能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為鎂合金常用的表面處理方法。




        鎂合金微弧氧化是將樣品放入電解液中,通電 在表面經(jīng)過(guò)火花放電生成很薄一層絕緣膜。具體的過(guò)程:活潑氧原子的產(chǎn)生;空間電荷在氧化物基體中的形成;在氧化物孔中產(chǎn)生氣體放電;膜層材料的局部融化;熱擴(kuò)散、膠體微粒的沉積;帶負(fù)電的膠體微粒遷移進(jìn)入放電通道;等離子體化學(xué)和熱化 學(xué)反應(yīng)等,放電形式有電暈、火花、輝光、微弧、電弧等,反應(yīng)非常復(fù)雜。


        經(jīng)過(guò)多年的研究,鎂合金微弧氧化技術(shù)已經(jīng)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,但微弧氧化技術(shù)及其在鎂合金表面的理論研究和應(yīng)用仍存在許多不足,亟待進(jìn)一步完善:

        (1) 微弧氧化陶瓷層表面存在大量的微孔,表面粗糙,致密度較低,嚴(yán)重影響陶瓷層的性能。近年來(lái)通過(guò)復(fù)合表面處理技術(shù),如微弧-電泳復(fù)合處理工 藝等,可以提高耐磨和耐蝕性能,改善致密層質(zhì)量,增強(qiáng)陶瓷層的性能。

        (2) 由于稀土元素優(yōu)異的改性性能,其可以使微弧氧化起弧時(shí)間短,起弧電壓下降明顯,氧化膜均勻,表面顏色更白,同時(shí)還可以增加氧化膜的厚度,使得稀土元素在微弧氧化中的作用愈加明顯,并且我國(guó)稀土資源豐富,開(kāi)發(fā)稀土元素在微弧氧化 工藝中的應(yīng)用有較大的意義。

        (3) 交流脈沖電源在鎂合金微弧氧化過(guò)程中生長(zhǎng)的陶瓷膜性能比直流電源生產(chǎn)的陶瓷膜的質(zhì)量和性能高得多,因此交流脈沖電源模式將是微弧氧化技術(shù)的重要發(fā)展方向。

        (4) 雖然鎂合金微弧氧化后性能要優(yōu)于陽(yáng)極氧化,但微弧氧化成本較高,因此開(kāi)發(fā)成本低、可回收、再利用、無(wú)污染的電解液是微弧氧化技術(shù)研究 的關(guān)鍵。


        微弧氧化層技術(shù)的應(yīng)用和廣泛發(fā)展存在著諸多 限制性因素,為了大力促進(jìn)微弧氧化技術(shù)的發(fā)展, 并實(shí)現(xiàn)工程化應(yīng)用,開(kāi)發(fā)無(wú)污染電解液是微弧氧化層技術(shù)的首要任務(wù),完善工藝參數(shù),降低成本,盡早實(shí)現(xiàn)抑制弧光能耗,解決鎂合金微弧氧化工業(yè)化應(yīng)用的難題。

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